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IOWN・光電融合 / 確認された動き

古河電工、100mW出力のDFBレーザダイオードチップを開発

発表日 2022-09-16

何が起きた?

古河電工は、シリコンフォトニクスを用いる光トランシーバの光源に向け、100mWの出力を得るDFBレーザダイオードチップを開発した。

何を意味し、何を意味しないか。

半導体チップの開発成果です。完成トランシーバの通信速度や量産開始を証明するものではありません。

根拠

古河電工は、シリコンフォトニクスを用いる光トランシーバの光源に向け、100mWの出力を得るDFBレーザダイオードチップを開発した。

元資料

www.furukawaelectric.com

発表日 2022-09-16

高出力100mW DFBレーザダイオードチップを開発

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